• 高效、同步、双向降压充电器与I2C接口的控制器PB6158B
    高效、同步、双向降压充电器与I2C接口的控制器PB6158B

    高效同步双向降压充电器与I2C接口的控制器PB6158B

    PB6158B适用于雾化器，快充电源，备用电源，是一种同步增压充电器控制器，可以支持反向放电操作。可支持36V的电池电压，无论适配器电压较高，都能有效管理1~6芯锂离子电池的充电过程。当系统需要从电池中产生输出时，PB6158B也可以为电池放电，并提供高达36V的所需输出。PB6158B采用QFN32封装。

    1、规格参数

    TJ=25°C，VBUS=5V，VBAT=10.8V，除非另有说明。

    符号 参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
    ?电源电压
    VUVLO_VBUS VBUS欠压锁定 上升 2.5 2.7 V
    延迟 170 mV
    VUVLO_VBAT VBAT欠压锁定阈值 上升 2.4 2.6 V
    延迟 170 mV
    IQ_VBAT 静止电流进入VBAT VBUS = 5V

    PSTOP = L, 非交换的

    		 2.4 4 mA
    VBUS = 5V

    PSTOP = L, 充电终止后

    		 2.4 4 mA
    IQ_VBUS 静止电流进入VBUS PSTOP = L, 非交换的 40 μA
    ISB_VBAT 待机电流进入VBAT VBUS打开 PSTOP = H, AD_START = 0 40 μA
    VBUS open PSTOP = H,

    AD_START = 1

    		 0.65 1.2 mA
    ISB_VBUS 待机电流进入VBUS PSTOP = H, AD_START =0 40 μA
    ISD_VBAT 关闭电流到VBAT /CE = H, VBUS = open 35 μA
    VDRV、拨和电源开关
    VDRV 关闭电流到VBAT PSTOP = L, VBUS = 9V 5.75 6 6.25 V
    PSTOP = L, VBUS = 5V 4.95 4.98 5 V
    PSTOP = H 2 V
    IVDRV_LIM VDRV电流限制 PSTOP = L

    VBUS = 5V, VCC = 4V

    		 45 mA
    PSTOP = H 1 mA
    RHS/LS_PU 高/低侧MOS驱动程序上拉电阻箱 4 Ω
    RHS/LS_PD 高/低侧MOS驱动程序下拉电阻器 1 Ω
    VLDO，单片机的电源
    VLDO VLDO调节电压 3.3 V
    3.0 V
    5.0 V
    ILDO VLDO电流限制 VBUS=5V, VLDO=3.3V 10 mA
    充电模式下的参考电压
    VBATS_int 内部设置的VBATS精度，超过VBATS目标 VCELL_SET=000~111 -0.5 0.5 %
    VTRICKLE_int 内部设置的涓流充电阈值电压 Cell number = N

    VCELL_SET = 000~1111, TRICKLE_SET = 0

    		 2.73* N 2.94* N 3.15* N V
    Cell number = N

    VCELL_SET = 000~1111, TRICKLE_SET = 1

    		 2.31* N 2.52* N 2.73* N  

    V
    VEOC EOC电压阈值，超过VBAT目标 97% 98% 99%
    VRECH 重新充电阈值电压，超过VBAT目标 94.8% 95.8% 96.8%
    VINREG VINREG参考电压 4.5V target VINREG_SET = 0x2C,VINREG_RATIO = 0 4.3 4.5 4.7 V
    15V target VINREG_SET = 0x95,

    VINREG_RATIO = 0

    		  

    14.7

    		  

    15

    		  

    15.3

    		  

    V
    4.48V target

    VINREG_SET=0x6F, VINREG_RATIO = 1

    		  

    4.4

    		  

    4.5

    		  

    4.6

    		  

    V
    10V target VINREG_SET = 0xF9,VINREG_RATIO = 1 9.8 10 10.2 V
    VBAT_OVP VBAT OVP阈值，超过VBAT目标 VBAT_SEL = 0/1 107% 110% 112%
    VCLAMP 125 mV
    充电模式下的参考电压
    VFB 外部设置时的FB参考电压 FB_SEL = 1,

    VBUSREF_E_REF target from 0.5V to 2.048V

    		 -2% 2%
    VBUS 内部设置的VBUS参考电压精度 FB_SEL = 0

    VBUS_RATIO = 1 (5x) VBUS = 3.6 ~10.24V

    		 -2% 2%
    FB_SEL = 0

    VBUS_RATIO = 0 (12.5x) VBUS = 9 ~ 24V

    		 -2% 2%
    VBUS_OVP VBUS OVP阈值，上升边缘 VBUSREF_I_SET = 1V

    VBUSREF_E_SET = 1V

    		 107.3% 110% 113%
    滞后作用 VBUSREF_I_SET = 1V VBUSREF_E_SET = 1V 3%
    CURRENT LIMIT
    IBUS_LIM IBUS电流限制精度 充电方式, 6A target

    IBUS_RATIO=01(6x) IBUS_LIM = 0x7F

    		  

    -10%

    		  

    10%
    充电方式, 3A target IBUS_RATIO = 10 (3x)

    IBUS_LIM = 0x7F

    		 -10% 10%
    放电方式, 6A target

    IBUS_RATIO = 01 (6x) IBUS_LIM = 0x7F

    		 -10% 10%
    放电方式, 3A target

    IBUS_RATIO = 10 (3x) IBUS_LIM = 0x7F

    		 -10% 10%
    IBAT_LIM IBAT电流限制精度 充电方式, 6A target IBAT_RATIO = 0 (6x)

    IBAT_LIM = 0xFF

    		 -10% 10%
    充电方式, 12A target

    IBAT_RATIO = 1 (12x) IBAT_LIM = 0xFF

    		 -10% 10%

    2、产品特性

    • 1到6节电池的增强电池充电器
    • 充电管理，包括涓流充电、CC充电、CV充电和充电终止
    • 加增压反向放电模式
    • 宽VBAT范围： 2.7 V到36 V，40V可持续使用
    • 宽VBUS范围： 2.7 V到36 V，40V可持续使用
    • I2C可编程充电电流和电压
    • I2C可编程排放输出电压
    • I2C可编程输入/输出电流限值
    • I2C可编程开关频率
    • 高效的提升转换
    • DP/DM握手器，用于QC 2.0/3.0充电
    • 10位ADC资源
    • 充电状态指示
    • 事件检测，包括自动适配器插入和自动负载插入检测
    • 电源路径控制
    • 过电压保护、过电压保护、过电流保护、短路保护和热停机保护
    • 采用QFN-32封装

    3、典型应用电路图

    典型应用电路图PB6158B

    4、管脚图及功能说明

    QFN32 PB6158B 利博|会员|登录
    QFN32
    引脚名 引脚号 I/O 功能说明
    SNS1P 1 I 电流感测放大器的正极输入。连接到电源路径上的电流感应电阻（典型的10mΩ）的一个垫板，以感应电流进入或流出VBUS。
    GPO 2 O 通用用途的开放式排水沟输出。它是由GPO_CTRL控制的比特用户可以使用此引脚驱动外部PMOS与一个拉出电阻器。
    INDET1 3 I 将此引脚连接到USB-A端口，以检测负载插入事件。当检测到插入事件时，IC设置INDET1位和输出一个INT中断脉冲，以通知单片机。
    PGATE/DITHER 4 IO PMOS门驱动器由PGATE位控制，用于控制电源路径上的外部PMOS。该引脚可以通过I2C进行配置，用于切换频率抖动功能。频率抖动时，将陶瓷电容器（典型100nF)连接接地功能
    INDET2 5 I 将此引脚连接到USB-A端口，以检测负载插入事件。当检测到插入事件时，IC设置INDET2位并输出一个INT中断脉冲以通知单片机。
    ACIN 6 I 将此引脚连接到AC适配器输入节点或微uSB端口，以检测AC适配器插入事件。当检测到插入事件时，IC设置AC_OK位并输出一个INT中断脉冲以通知单片机。
    /CE 7 I 芯片启用控制。将此引脚拉至逻辑低，以启用集成电路；将此引脚拉至逻辑高，以禁用集成电路。这个销是内部拉低。
    PSTOP 8 I 电源停止控制。将此引脚拉至逻辑低，使电源块启用；将此引脚拉至逻辑高，以禁用电源块，集成电路进入待机模式。在待机模式下，只有交流适配器和负载插入检测功能，I2C电路继续工作。这个销是内部拉低。
    SCL 9 I I2C接口时钟。通过上拉装置将SCL连接到逻辑导轨电阻器（典型的10 kΩ)。IC作为从端工作，I2C地址为0x74H。
    SDA 10 I/O I2C接口数据。通过上拉装置将SDA连接到逻辑导轨电阻器（典型的10 kΩ)。
    INT 11 O 一个用于中断信号的开路漏极输出。IC在INT引脚处发送一个逻辑低脉冲，如果发生中断事件，则通知主机。
    AGND 12 I/O 模拟地面。在热垫处连接PGND和AGND在IC。
    DP 13 IO USB接口的正数据线。可通过单片机控制，实现QC2.0/3.0握手，实现快速装料。
    DM 14-18 IO USB接口的负数据线。可通过单片机控制，实现QC2.0/3.0握手，实现快速装料。
    FB 19-22 I 针对VBUS电压的反馈节点。连接电阻分配器VBUS至FB，在外部方式设置VBUS放电输出电压。FB参考文件也可以通过I2C进行编程。
    COMP 23-24 I 在此引脚处连接电阻器和电容器，以补偿控制回路。
    SNS2N 25 I 电流感测放大器的负极输入。连接到电源路径上的电流感应电阻（典型10 mΩ)的一个垫，以感应进电池或出电池的电流。
    SNS2P 26 I 电流感测放大器的正极输入。连接到电源路径上的电流感应电阻（典型的10mΩ)的另一个衬垫上，以检测进入电池或进出电池的电流。
    VBAT 27 I 提供给集成电路的电源。连接到蓄电池正极节点。将一个1μF电容器从这个引脚放置到PGND上，尽可能靠近IC。
    BT2 28 I 将BT2引脚和SW2引脚之间的一个100nF电容器连接到引导程序一个针对高侧MOSFET驱动器的偏置电压。
    HD2 29 O 门驱动器输出，以控制外部高侧功率MOSFET。
    SW2 30 I/O 切换节点。连接到电感器。
    LD2 31 O 门驱动器输出，以控制外部低侧功率MOSFET。
    VLDO 32 O 一个内部的3.3V线性调节器的输出。连接一个1 μF的电容器从VLDO pin到AGND。
    VDRV 33 I 内部驱动器电路的电源输入。

    5、功能特色

    （1）充电方式

    （2）招式充电

    （3）CC充电（恒流充电）

    （4）CV充电（恒定电压充电）

    （5）EOC（充电结束）

    （6）充电设备

    （7）自适应充电电流（VINREG）

    （8）电池阻抗补偿

    （9）放电方式

    （10）软启动

    （11）睡眠率设置

    （12）PFM操作

    （13）电压和电流监测器的ADC

    （14）电源路径管理

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